Effects of Unintended Dopants on I-V Characteristics of the Double-Gate MOSFETs, a Simulation Study

李佩成, 梅光辉, 胡光喜, 王伶俐, 刘冉, 汤庭鳌

理论物理通讯 ›› 2012, Vol. 58 ›› Issue (01) : 171-174.

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会计学季刊
Quarterly Journal of Accounting
主办单位：
香港中文大学会计学院
上海财经大学会计学院
南京大学商学院会计学系
ISSN： 3006-1415
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理论物理通讯 ›› 2012, Vol. 58 ›› Issue (01) : 171-174.

Effects of Unintended Dopants on I-V Characteristics of the Double-Gate MOSFETs, a Simulation Study

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